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氧化扩散炉主要满足半导体电力电子器件、大功率集成电路等行业，对所加工硅片进行扩散、氧化、退火、合金等工艺。主要由扩散炉加热炉体、气源系统、控制系统、超净化操作系统等组成。选用工控机微控方式或者程控方式操作。
氧化扩散炉技术指标：
t可处理硅片尺寸：2—12英寸
t外型形式：卧式1—4管结构
t工作温度：200℃—1300℃
t恒温区长度及精度：200mm—1100mm≤±0.5℃
t单点温度稳定性、重复性： ≤±1℃/24h
t温度斜变： 可控升温速率15℃／min
t可控降温速率： 5℃／min
t送片装置：全自动悬臂推拉舟、拉杆式推拉舟
t气路系统：1—5路工艺气体／管
t气体控制：全自动MFC
t控制方式：工控机、触摸屏